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IRLTS6342PbF
1000
100
100
10
TOP
BOTTOM
VGS
10V
4.5V
2.5V
2.0V
1.7V
1.6V
1.5V
1.4V
10
TOP
BOTTOM
VGS
10V
4.5V
2.5V
2.0V
1.7V
1.6V
1.5V
1.4V
1
0.1
1
1.4V
0.01
1.4V
≤ 60 μ s PULSE WIDTH
Tj = 25°C
0.1
≤ 60 μ s PULSE WIDTH
Tj = 150°C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
100
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1.8
10
T J = 150°C
1.6
1.4
1.2
I D = 8.3A
VGS = 4.5V
1
0.1
T J = 25°C
VDS = 15V
≤ 60 μ s PULSE WIDTH
1.0
0.8
0.6
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
TJ , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature
10000
1000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
C iss = C gs + C gd, C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
Ciss
14
12
10
8
ID= 6.4A
VDS = 24V
VDS = 15V
VDS = 6.0V
Coss
6
100
Crss
4
2
0
10
0
5
10
15
20
25
30
1
10
100
QG Total Gate Charge (nC)
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage
www.irf.com
Fig 6. Typical Gate Charge vs.Gate-to-Source Voltage
3
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